Xem thêm những thông tin mới nhất về 3Q Củ Hành – Big Update 3D tại: http://3q.360play.vn/

Bảo Việt

Trong khuôn khổ hội thảo 3G/TLE 2015 đang diễn ra tại Hồng Kông, Qualcomm Technologies, Inc., công ty con của Qualcomm Incorporated vừa cho ra mắt thế hệ tiếp theo của công nghệ sạc nhanh với Qualcomm Quick Charge 3.0. Quick Charge 3.0 là thế hệ thứ 3 của công nghệ này và đây là lần đầu Qualcomm sử dụng Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV), một thuật toán mới do chính Qualcomm Technologies phát triển và thiết kế nhằm cho phép các thiết bị cầm tay có thể quyết định mức năng lượng cần thiết tại bất cứ thời điểm nào để việc truyền tại điện năng đạt kết quả tối ưu. Với công nghệ Quick Charge 3.0, bạn có thể sạc một chiếc điện thoại từ 0 lên 80% chỉ trong vòng 35 phút. Trong khi đó, với một sản phẩm sử dụng công nghệ Quick Charge thông thường, thời gian này là khoảng 1,5 tiếng.

Quick Charge 3.0 được thiết kế để đạt hiệu suất cao hơn 38% so với Quick Charge 2.0 và vẫn đảm bảo các biện pháp bổ sung để bảo vệ pin thiết bị. Khi sử dụng công nghệ này của Qualcomm tốc độ sạc có thể đẩy nhanh lên 27% và giảm lượng điện năng thất thoát xuống 45% so với công nghệ Quick Charge 2.0. Ngoài ra, tốc độ sạc còn nhanh hơn gấp 2 lần so với Quick Charge 1.0.

Quick Charge 3.0 sẽ là một tính năng tùy chọn trên một số vi xử lý của Qualcomm Snapdragon bao gồm 820, 620, 618 và 430 và sẽ xuất hiện trên nhiều thiết bị di động trong năm sau.

Theo ông Alex Katouzian, Phó Chủ tịch cấp cao mảng quản lý sản phẩm của Qualcomm Technologies, Inc: “Chúng tôi đang cải thiện đáng kể khả năng và lợi ích mà Quick Charge 3.0 mang lại nhằm thúc đẩy công nghệ sạc nhanh. Quick Charge 3.0 giải quyết một vấn đề chính của người sử dụng đó là giúp họ sạc pin nhanh hơn và hiệu quả hơn thông qua công nghệ hàng đầu và hệ sinh thái mạnh của những nhà sản xuất thiết bị và phụ kiện hàng đầu”.